6月8日，存储半导体模组企业宏芯宇（HOSINGLOBAL）在COMPUTEX 2026发布自研UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片HG2325。该芯片采用22nm制程，内置大容量SRAM缓存和自研4KB LDPC硬件纠错引擎，兼容主流3D TLC/QLC NAND，闪存接口速率支持至1600MT/s，兼容高通、联发科、紫光展锐等SoC平台，支持64GB~1TB容量规格；其中512GB模组顺序读写速率分别可达1060MB/s和975MB/s。宏芯宇在展会还展示了PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM及车规级嵌入式闪存与固态硬盘等产品。
6 月 8 日消息，存储半导体模组企业宏芯宇 (HOSINGLOBAL) 在 COMPUTEX 2026 上发布了其自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。
IT之家了解到，HG2325 采用 22nm 成熟制程工艺，内置大容量 SRAM 缓存搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎，适配主流 3D TLC / QLC NAND，闪存接口速率支持到 1600MT/s。
其兼容高通、联发科技、紫光展锐等厂商的主流 SoC 平台，支持 64GB~1TB 的一系列容量规格，其中 512GB 存储模组的顺序读取与写入速率分别可达 1060MB/s 和 975MB/s。
宏芯宇此次还在台北国际电脑展上展示了 PCIe Gen5 x4 eSSD、DDR5-5600 RDIMM、车规级嵌入式闪存 & 固态硬盘等一系列产品。
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