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消息称 SK 海力士 2026 年全力扩充非 HBM 通用 DRAM 内存产能,充分利用现有资源
发布 作者:溯波(实习) 浏览量:0
韩媒报道称SK海力士计划在2026年全力扩充非HBM通用DRAM内存产能,通过利用现有晶圆厂空间,包括清州M8、利川M10、M14和M16厂区,预计产能将提升至每月7万片晶圆,并可能提前达到月投片量10万的目标。

12 月 1 日消息,韩媒《朝鲜日报》11 月 28 日报道称,SK 海力士明年除积极扩产 HBM 内存外也将全力扩充 HBM 以外的通用 DRAM 内存的产能,为此计划充分利用手头的晶圆厂空间。

SK 海力士的 HBM DRAM 新增产能主要集中在本季度竣工投产的清州 M15X 晶圆厂上,而通用 DRAM 内存的新产能则将来自现有晶圆厂,包括清州 M8、利川 M10、利川 M14、利川 M16

IT之家从报道了解到,这四座晶圆厂中清州 M8、利川 M10 属于相对老旧的厂区,将最大限度地利用其空间;SK 海力士计划对利川 M14 厂区进行制程升级改造,并启用利川 M16 的剩余部分。

韩媒预计,SK 海力士的通用 DRAM 产能将在 2026 年扩大至每月 7 万片晶圆,但也有消息称实际上有望通过进一步扩产提前达到月投片量 10 万的 2027 年目标。

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